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Traitement diélectrique des faces laser haute et faible réflectivités pour la fabrication de diodes laser
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Traitement diélectrique des faces laser haute et faible réflectivités pour la fabrication de diodes laser. III-V-LAB.
Fabrication de diodes laser monofréquences DFB aux raies D1 (894nm) et D2 (852nm) du Césium par III-V Lab : Traitement diélectrique des faces laser haute et faible réflectivités.
III-V Lab maîtrise l’ensemble des opérations de fabrication de composants III-V, de la conception à la caractérisation.
III-V Lab, laboratoire de recherche industriel, est un Groupement d’Intérêt Economique entre Nokia, Thales et le CEA et conduit des activités de R&D sur les composants microélectroniques et optoélectroniques semi-conducteurs III-V pour différents domaines d’application : télécommunications, défense, sûreté, sécurité et spatial.
